لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : پاورپوینت
نوع فایل : پاورپوینت حافظه داخلي.ppt( قابل ويرايش و آماده ارائه )
تعداد اسلاید 11 اسلاید
قسمتی از متن .ppt :


حافظه داخلي
استاد:
جناب مهندس حسين زاده
دانشجو:
عباس طهماسبي
حافظه
حافظه سيستم، مكاني است كه در آنجا كامپيوتر برنامه‌هاي جاري و داده‌هاي مورد استفاده را نگهداري مي‌نمايد و به دليل قدرتمند شدن دائمي نرم‌افزارها، حافظه سيستم با گام‌هاي پرشتاب، رو به افزايش است. ذخيره و بازيابي داده‌ها از يك بلوك بزرگ حافظه زمان بسيار بيشتري را نسبت به يك بلوك كوچك مي‌طلبد. با يك حجم وسيعي از فضاي حافظه اصلي بسيار زياد مي‌باشد و اين امر، منجر به ايجاد لايه‌هاي اضافي كاشه در سلسله مراتب حافظه مي‌گردد.
هنگامي كه بحث سرعت دسترسي به حافظه مطرح مي‌شود، همواره يك شكاف رو به افزايش بين پردازنده‌ها و تراشه‌هاي حافظه وجود دارد. اين بدان معناست كه پردازنده‌ها دائماً با زمان انتظار بيشتر براي خواندن و نوشتن داده‌ها روي حافظه اصلي مواجه هستند. يك راه حل، استفاده از حافظه كاشه بين حافظه اصلي و پردازنده و نيز استفاده از سيستم‌هاي الكترونيكي هوشمندتر براي تضمين اين كه ملزومات داده‌اي پردازنده از قبل در حافظه كاشه قرار مي‌گيرد.
حافظه اصلي
در سلسله مراتب حافظه، سطح سوم حافظه اصلي سيستم، Ram مي‌باشد. حافظه منبع موقتي نگهداري داده‌ها بوده و محيط حافظه اصلي قابل دسترسي توسط ديسك سخت مي‌باشد. اين حافظه به عنوان حافظه مياني بين ديسك سخت و پردازنده بكار مي‌رود. هرچه داده‌هاي بيشتري را بتوان در داخل حافظه Ram ذخيره نمود، سرعت اجراي PC افزايش خواهد يافت. حافظه اصلي از طريق باس‌هاي آدرس و داده به پردازنده منتقل مي‌شود. هر باس داراي يك تعداد مدار الكتريكي يا بيت است.
هر مبادله داده بين CPU و حافظه، يك سيكل باس نام دارد. تعداد بيت‌هاي داده‌اي كه يك CPU در طي يك سيكل باس واحد قادر به انتقال مي‌باشد، روي عملكرد كامپيوتر تاثير مي‌گذارد. حافظه اصلي از تراشه‌هاي DRam (ديناميكي) يا زم‌ديناميكي تشكيل مي‌شود. [1]

DRam
تراشه‌هاي DRam آرايه‌هاي مستطيل شكل بزرگي از سلول‌هاي حافظه اصلي با مدارهاي منطقي پشتيبان هستند كه براي خواندن و نوشتن داده‌ها در داخل آرايه‌ها مورد استفاده قرار مي‌گيرند. همچنين از يك مدار بازسازي داده‌ها براي حفظ جامعيت داده‌هاي ذخيره شده استفاده مي‌گردد.
FPM DRam
در DRam استاندارد كه با زمان دسترسي 60 يا 70 نانوثانيه عرضه مي‌شوند، خواندن داده‌ها توسط واحد مديريت حافظه ابتدا با فعال كردن سطر متناظر از آرايه، سپس فعال كردن ستون مناسب ارزشيابي و انتقال داده‌ها انجام مي‌شود. سپس ستون مورد نظر نيز فعال شده كه باعث wait state ناخواسته مي‌شود كه CPU بايد منتظر بماند تا حافظه كار انتقال را به پايان برساند.
EDO DRam
در سرعت‌هاي 50.60.70 نانوثانيه عرضه مي‌شود. حافظه‌هاي EDO DRam نيازي به غيرفعال شدن ستون و خاموش شدن بافر خروجي بيش از آغاز انتقال داده بعدي ندارد و قادر است تا 27% خواندن حافظه را سريعتر از FPU DRam انجام دهد.
....